Datasheet下载- 型号： FJNS4202RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS4202RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS4202RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS4202RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS4202RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS4202RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS4202RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为R1=10kΩ，R2=10kΩ），简化外围电路设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出端，将低电流逻辑信号（如3.3V/5V TTL）转换为足够驱动能力的开关信号，控制LED、继电器、小功率MOSFET栅极等。 2. 负载开关与电源管理：在便携式设备中用作低压侧开关，实现外设供电的启停控制，降低待机功耗；因集成偏置电阻，无需额外分立偏置元件，节省PCB面积。 3. 传感器信号调理与简单放大：适用于对增益和线性度要求不高的场合，如光电开关、霍尔传感器输出级缓冲或阈值检测电路。 4. 消费类与工业控制板：广泛应用于家电控制板、智能照明模块、电机驱动辅助电路等，凭借高可靠性、-55°C~+150°C宽温范围及AEC-Q101兼容性（注：需查证具体批次是否认证），亦见于部分车规级辅助系统。 该器件采用SOT-323（SC-70）超小型封装，适合空间受限设计；最大VCEO=50V，IC=100mA，hFE=160–460，兼具低饱和压降与快速开关特性（tON/tOFF约数十纳秒）。适用于中低频（<100MHz）、中小电流（≤100mA）的开关应用，不推荐用于线性放大或高频射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS4202RBU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 短体 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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