Datasheet下载- 型号： FJNS3210RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS3210RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS3210RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS3210RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS3210RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS3210RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS3210RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻网络，简化外围电路设计。其典型应用场景包括： • 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器、小型蜂鸣器等负载，实现5V/3.3V TTL/CMOS信号到较高电流输出的可靠切换； • 开关电源中的辅助控制电路：在AC-DC适配器或DC-DC模块中，用作待机控制、使能信号调理、反馈回路中的光电耦合器驱动或过压保护触发开关； • 消费电子与工业传感器接口：如烟雾报警器、温控面板、智能电表中，作为传感器信号调理后的有源开关，实现低功耗、高可靠性通断控制； • 汽车电子基础功能模块：适用于车身控制单元（BCM）中的非安全相关负载（如车窗指示灯、门锁状态反馈）驱动，满足AEC-Q101基础认证要求（需确认具体批次是否符合）； • 空间受限的便携设备：采用SOT-323（SC-70）超小型封装，适合可穿戴设备、无线模块等对PCB面积敏感的应用，减少贴片元件数量并提升生产良率。 该器件具有低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA）、稳定电流增益（hFE = 100–300）、集成偏置电阻（R1=10kΩ, R2=10kΩ），显著降低设计复杂度与BOM成本。适用于中低速（fT≈200MHz）、中小电流（IC≤100mA）的通用开关场景，不适用于高频放大或大功率驱动。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS3210RBU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 短体 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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