Datasheet下载- 型号： FJNS3205RTA
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS3205RTA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS3205RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS3205RTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS3205RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS3205RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS3205RTA 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻网络，简化外围电路设计。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器、小功率MOSFET等负载，实现TTL/CMOS电平到开关信号的可靠转换；内置偏置电阻使其可直接由3.3V/5V GPIO驱动，无需外接偏置电阻。 2. LED驱动与指示灯控制：适用于中低电流（IC ≤ 100mA）LED恒流/开关驱动，如面板指示、状态灯、背光控制等，节省PCB空间并提升一致性。 3. 负载开关与信号切换：在便携式设备（如IoT传感器节点、可穿戴设备）中用作低功耗、小尺寸的有源开关，控制电源通断或信号路径切换。 4. 简易放大与检测电路：在对增益要求不高的场合（如光电二极管信号预放大、按钮去抖检测），可替代分立BJT+电阻方案，提高装配良率与温漂稳定性。 该器件采用SOT-723超小型封装，具备低饱和压降（VCE(sat)典型值0.15V @ IC=10mA）、高直流电流增益（hFE=200–400）、良好ESD防护（HBM ≥ 2kV），适合空间受限、成本敏感及高可靠性要求的消费电子、工业控制与汽车电子（非安全关键系统）应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS3205RTA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3短身定形引线 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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