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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FJN598JATA
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN598JATA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN598JATA价格参考。Fairchild SemiconductorFJN598JATA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN598JATA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN598JATA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN598JATA 是由 ON Semiconductor（安森美）生产的 P 沟道结型场效应晶体管（P-channel JFET），采用 SOT-23 表面贴装封装。其典型应用场景包括： • 低噪声模拟信号开关：适用于音频前置放大器、传感器信号路径中的静音/选通控制，利用JFET高输入阻抗与低栅极电流特性，避免信号源负载。 • 恒流源/电流源偏置电路：可配置为自偏置恒流源，用于运算放大器偏置、LED驱动或有源负载，提供稳定、温度特性较优的电流输出。 • 射频（RF）小信号放大与混频前端：在VHF频段（如短波接收、无线传感模块）中作低噪声放大级或混频器有源器件，得益于其较低的1/f噪声和良好线性度。 • 电池供电设备中的电源管理：如反向电压保护、负载开关或低功耗休眠控制，因P-JFET可实现简单无驱动的常通（normally-on）关断逻辑，适合超低静态电流设计（典型IGSS < 1 nA）。 • 工业传感器接口：用于桥式传感器（如压力、温度变送器）的差分信号调理前端，提供高共模抑制比和低输入偏置误差。 注意：该器件为P沟道JFET，工作于耗尽模式，需负向VGS控制导通程度；不适用于大功率开关或高频功率放大场景。实际应用中建议参考ON Semiconductor官方数据手册（DS75017/D）进行热设计与PCB布局优化。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 20V 1MA 150MW TO92 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN598JATA |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 600mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 100µA @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.5pF @ 5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 20V |
| 电阻-RDS（开） | - |
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