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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FJN3310RTA
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN3310RTA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN3310RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJN3310RTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN3310RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN3310RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN3310RTA 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为R1=10kΩ，R2=10kΩ），无需外部偏置电路即可直接驱动。其主要应用场景包括： - 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（如STM32、PIC、Arduino）I/O口驱动LED、小型继电器或光耦，实现5V/3.3V逻辑信号的开关控制，简化电路设计。 - 负载开关应用：适用于中低电流（IC ≤ 100mA，典型Ic=50mA）的电源通断控制，如传感器模块供电管理、指示灯控制等。 - 替代传统分立偏置BJT方案：在空间受限的消费电子（如智能穿戴设备、遥控器、电池供电仪表）中，可减少元件数量、提升可靠性并降低BOM成本与PCB面积。 - 工业与家电控制：用于风扇调速、蜂鸣器驱动、小功率电磁阀/LED背光控制等对成本和尺寸敏感的场合。 该器件采用SOT-23封装，具备良好热稳定性与ESD防护能力（HBM ±2kV），工作温度范围-55°C~+150°C，适合工业级环境。需注意其最大VCEO=50V、Ptot=350mW，不适用于高压或大功率场景。设计时应校验实际负载电流与功耗，避免饱和压降（VCE(sat)≈0.15V@Ic=10mA）导致的温升问题。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN3310RTA |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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