Datasheet下载- 型号： FJN3309RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN3309RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN3309RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJN3309RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN3309RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN3309RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN3309RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为R1=R2=10kΩ），简化外围电路设计。其主要应用场景包括： - 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或门电路驱动LED、继电器、小型蜂鸣器等负载，实现TTL/CMOS电平到开关信号的可靠转换； - 小功率开关应用：适用于低电流（IC ≤ 100mA）、低电压（VCEO = 50V）场景，如电源使能控制、状态指示灯驱动、传感器信号调理中的有源开关； - 替代传统分立偏置方案：在空间受限的消费电子（如遥控器、智能穿戴设备、家电控制板）中，可减少元件数量、提升装配良率与可靠性； - 工业与汽车电子辅助电路：满足AEC-Q101认证（注：需确认具体批次是否通过，FJN3309RBU为工业级，部分版本支持车规应用），可用于车身控制模块（BCM）中的非关键性信号切换或故障检测电路。 该器件具有高直流电流增益（hFE = 160–475）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA）及SOT-23小型封装，兼顾性能与成本，适用于对尺寸、BOM精简和快速设计有要求的中低功耗嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN3309RBU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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