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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJE3303TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJE3303TU价格参考。Fairchild SemiconductorFJE3303TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJE3303TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJE3303TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJE3303TU 是一款由 Fairchild(现属onsemi)生产的NPN型通用双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23表面贴装封装,具有高增益(hFE典型值150–300)、低饱和压降(VCE(sat)约0.15V @ IC=100mA)和良好频率响应(fT≈200MHz)。其典型应用场景包括: 1. 小信号放大:适用于音频前置放大、传感器信号调理等低功率模拟电路; 2. 开关控制:常用于MCU/逻辑电路驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极,因其开关速度快、驱动电流适中(IC(max)=200mA); 3. 电源管理辅助电路:如LDO使能控制、电源状态指示、负载开关等; 4. 消费电子与便携设备:因SOT-23封装尺寸小、功耗低,广泛用于智能手机、可穿戴设备、遥控器等空间受限场景。 注意:该器件非功率型,不适用于大电流或高电压主回路;设计时需确保工作在安全工作区(SOA),并留有足够散热余量。实际选型应结合数据手册参数(如最大VCEO=30V、Ptot=350mW)进行热与电气校核。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO126 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FJE3303TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 500mA,1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 8 @ 500mA,2V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-126 |
| 功率-最大值 | 20W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1,920 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1.5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | 4MHz |