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  • 型号: FGPF70N30TRDTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGPF70N30TRDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGPF70N30TRDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGPF70N30TRDTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGPF70N30TRDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGPF70N30TRDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FGPF70N30TRDTU 是安森美(ON Semiconductor)推出的单通道N沟道增强型功率MOSFET(非IGBT),采用TO-220F封装,额定电压300V,连续漏极电流70A(Tc=25°C),低导通电阻(Rds(on)典型值约28mΩ),具备快速开关特性与强雪崩耐受能力。

其典型应用场景包括:  
1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC适配器、服务器/通信电源的主开关管或PFC升压电路,兼顾高效率与热管理;  
2. 电机驱动:适用于中小功率直流无刷电机(BLDC)或步进电机的H桥/半桥驱动,支持高频PWM控制;  
3. 工业控制设备:如PLC输出模块、固态继电器(SSR)、电磁阀/继电器驱动等需要高可靠通断的场合;  
4. 照明电子镇流器及LED驱动电源:在高频调光与恒流控制中提供稳定开关性能;  
5. 逆变器辅助开关:在光伏微逆变器或UPS系统中承担DC侧开关或辅助电源拓扑中的功率开关角色。

该器件不适用于IGBT典型场景(如大功率变频器主逆变桥),因其为高压MOSFET,更侧重于中等功率、中高频(数十kHz至数百kHz)、需低开关损耗与快速响应的应用。其TO-220F封装具备良好散热性,适合PCB通孔安装并配合散热器使用。
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