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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 40ns/475ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
| 描述 | IGBT 1200V 80A 555W TO247-3IGBT 晶体管 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 370nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH40T120SMD_F155- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGH40T120SMD_F155 |
| SwitchingEnergy | 2.7mJ (开), 1.1mJ (关) |
| TestCondition | 600V, 40A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V,40A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 555W |
| 功率耗散 | 555 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 反向恢复时间(trr) | 65ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247G03-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | + /- 25 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A |
| 系列 | FGH40T120 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 40 A |