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- 型号： FDW2507N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDW2507N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDW2507N价格参考。Fairchild SemiconductorFDW2507N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDW2507N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDW2507N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDW2507N 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道逻辑电平增强型MOSFET阵列，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅28mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及100%经过雪崩能量测试等优势。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的上下管驱动，尤其适用于笔记本电脑、平板、通信设备等高效率、小体积的POL（Point-of-Load）电源模块。 2. 负载开关与电源路径管理：双MOSFET结构便于实现双路独立控制，适用于USB供电切换、电池充放电路径管理、热插拔保护等场景。 3. 电机驱动与H桥控制：可作为小型直流电机或步进电机驱动电路中的半桥组件（需外配驱动逻辑），适用于打印机、POS机、智能家电等低功率运动控制应用。 4. LED背光与RGB驱动：凭借快速开关和低损耗特性，可用于LCD背光调光或LED恒流驱动的PWM开关级。 5. 接口保护与电平转换辅助电路：在I²C、SMBus等总线隔离或电源域隔离设计中，用作有源钳位或电源开关。 该器件支持3.3V/5V逻辑直接驱动，无需额外驱动IC；内置ESD保护（>2kV HBM），提升系统可靠性。适用于工业控制、消费电子、网络设备等对空间、能效和成本敏感的应用领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDW2507N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2152pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 7.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.5A |
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