Datasheet下载- 型号： FDU8782
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU8782由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU8782价格参考。Fairchild SemiconductorFDU8782封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU8782参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU8782 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU8782 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用紧凑的 3×3 mm² 小尺寸 WDFN-8 封装，具备低导通电阻（RDS(on) 典型值仅 3.2 mΩ @ VGS = 10 V）、快速开关特性及优异的热性能。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC 电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的高边/低边开关，尤其适用于服务器、通信设备和工业电源中的高效 POL（Point-of-Load）模块； ✅ 电池供电系统：在便携式设备（如笔记本电脑、平板、POS 终端）的电池保护电路、负载开关及充电管理中，凭借低 RDS(on) 和小封装降低功耗与PCB面积； ✅ 电机驱动：适用于小型直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动单元，支持高频PWM控制，提升能效与响应速度； ✅ LED 驱动与背光控制：作为电流调节开关，用于中大功率 LED 恒流驱动电路，满足高效率与低发热要求； ✅ 热插拔与电子保险丝（eFuse）：内置强健的雪崩耐量（EAS = 55 mJ）与过温保护兼容性，适合需可靠短路防护的接口电源管理。 该器件支持 3.3 V / 5 V 逻辑电平驱动（VGS(th) 低至 1.2–2.2 V），易于与 MCU 或 PWM 控制器直接连接，兼具高可靠性与成本效益，是中等功率（≤20 A连续电流，峰值可达40 A）、高密度设计的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU8782 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1220pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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