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- 型号： FDU8780_F071
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU8780_F071由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU8780_F071价格参考。Fairchild SemiconductorFDU8780_F071封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU8780_F071参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU8780_F071 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU8780_F071 是安森美（onsemi）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用紧凑的FlatPower™（SO-8FL）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 3.2 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 80 A）及优异的开关性能。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并减小温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制模块（如风扇、泵、电动工具），支持高频PWM驱动与快速关断； 3. 负载开关与热插拔电路：凭借低RDS(on)和强短路耐受能力，常用于主板/板卡的电源域隔离与上电时序管理； 4. 电池管理系统（BMS）：在便携设备或轻型储能系统中用作充放电主路径开关，兼顾效率与可靠性。 该器件具备AEC-Q101认证（部分批次），亦可拓展至车规级辅助电源或车载照明驱动等严苛环境应用。需注意PCB布局时强化散热焊盘焊接，并配合合适栅极驱动（推荐VGS = 10 V以确保充分导通）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 35A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU8780_F071 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1440pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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