Datasheet下载- 型号： FDU6676AS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU6676AS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU6676AS价格参考。Fairchild SemiconductorFDU6676AS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU6676AS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU6676AS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU6676AS 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用紧凑的SO-8封装，具备低导通电阻（RDS(on) ≈ 22 mΩ @ VGS = 10 V）、高开关速度及优良热性能，适用于中等功率、高效率开关应用。 典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：如同步降压（Buck）转换器中的下管（low-side switch），广泛用于笔记本电脑适配器、主板VRM模块、通信设备电源等； - 负载开关与电源管理：在便携式设备（如平板、POS终端）中用作电池供电路径控制或外设供电使能开关，支持快速启停与低待机功耗； - 电机驱动：适用于小功率有刷直流电机（如风扇、小型泵）的H桥或单路驱动电路，提供可靠开关与过流保护能力； - LED驱动与背光控制：在LCD背光调光或智能照明系统中作为PWM调光开关，实现高效恒流控制； - 工业控制接口：PLC输出模块、继电器替代方案等需耐压（VDS = 30 V）、抗干扰强、驱动简单的场合。 其逻辑电平兼容（VGS(th)低至1.0–2.5 V）特性，便于直接由MCU或驱动IC控制，无需额外电平转换。SO-8封装兼顾散热性与PCB空间限制，适合高密度设计。 （注：实际应用中需注意PCB布局、栅极驱动强度及并联/散热设计，以确保长期可靠性。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 90A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU6676AS |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2470pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 64nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.8 毫欧 @ 16A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Ta） |
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