Datasheet下载- 型号： FDU6512A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU6512A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU6512A价格参考。Fairchild SemiconductorFDU6512A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU6512A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU6512A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU6512A 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 280 mΩ @ VGS = 4.5 V）、小尺寸、高开关速度和低栅极电荷等特点。其额定电压为20 V，连续漏极电流达2.5 A（TA = 25°C），适用于低压、中低功率的高效开关场景。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、振动马达控制、USB接口负载开关等； 2. DC-DC转换器：作为同步整流MOSFET或主开关管，用于升压（Boost）、降压（Buck）及升降压（Buck-Boost）拓扑中的次级侧开关，提升转换效率； 3. 电池保护电路：配合保护IC实现过充/过放/过流保护中的充放电路径控制（如电池充放电回路的充放电MOS开关）； 4. 负载开关（Load Switch）：用于系统级电源域上电时序控制，实现低静态电流（IQ < 1 µA）、快速使能/关断及反向电流阻断功能； 5. 小型电机驱动与传感器接口：如微型风扇、光学模组调焦马达、IoT传感器节点的外设供电开关。 其SOT-23封装便于高密度PCB布局，支持无铅回流焊工艺，符合工业及消费类电子产品对小型化、低功耗和可靠性的要求。注意使用时需合理设计PCB散热焊盘，并确保VGS驱动电压满足阈值要求（典型VGS(th) = 0.5–1.2 V），避免线性区长时间工作导致热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 10.7A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU6512A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1082pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 10.7A，4.5V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.7A （Ta）， 36A （Tc） |
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