Datasheet下载- 型号： FDS6689S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6689S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6689S价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6689S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS6689S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6689S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6689S 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为22 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及高雪崩耐量。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），配合上管MOSFET实现高效功率调节，广泛应用于笔记本电脑、主板VRM、GPU供电模块等。 2. 负载开关与电源管理：在便携式设备（如平板、POS终端）中用作电池供电路径控制、外设电源使能开关，支持低功耗待机与快速启停。 3. 电机驱动电路：适用于小功率直流电机（如风扇、微型泵）的H桥或半桥驱动中的低侧开关，具备良好热稳定性与抗dv/dt干扰能力。 4. LED背光/照明驱动：作为恒流源开关或PWM调光控制器件，用于LCD背光驱动板或智能照明模块。 5. 工业与消费类接口保护：在USB Type-C PD、eFuse等电路中承担过流/短路保护功能（需配合驱动与检测电路）。 该器件支持逻辑电平驱动（3.3V/5V TTL兼容），无需专用栅极驱动IC，简化设计；内置ESD保护（HBM 2kV），提升系统鲁棒性。注意其为双通道共源结构，两MOSFET独立控制，适合需要紧凑布局与成本敏感的中低功率应用（通常<10A连续电流）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS6689S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3290pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.4 毫欧 @ 16A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Ta） |
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![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/ITCSN-0800-6"-BLACK-12-3 PC PKS.jpg)
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