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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS3812由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS3812价格参考。Fairchild SemiconductorFDS3812封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDS3812参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS3812 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS3812 是安森美(ON Semiconductor)推出的双通道N沟道逻辑电平增强型MOSFET阵列,采用SO-8封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值为16 mΩ @ Vgs=4.5V)、快速开关特性及100%雪崩额定能力。其典型应用场景包括: 1. DC-DC电源转换:广泛用于同步降压(Buck)转换器的高/低端开关,尤其适用于笔记本电脑、平板电脑及通信设备中的高效POL(Point-of-Load)电源模块。 2. 负载开关与电源管理:集成双MOSFET结构支持独立控制两路负载(如USB端口供电、外设电源),实现过流保护、热关断及软启动功能,常见于主板电源时序管理与电池供电系统。 3. 电机驱动与LED背光控制:适用于小型直流电机H桥驱动(需搭配外部驱动电路)或大电流LED调光/开关,如打印机、POS终端及工业控制面板。 4. 热插拔与电源排序电路:凭借低阈值电压(Vgs(th) 1.0–2.0V)和逻辑兼容性(3.3V/5V TTL驱动),便于直接由MCU或电源管理IC控制,满足严苛的上电时序要求。 该器件具备高可靠性、小尺寸及高功率密度优势,适用于空间受限、能效敏感的便携式及嵌入式电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 3.4A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FDS3812 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 634pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 74 毫欧 @ 3.4A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.4A |