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- 型号： FDR6580
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDR6580由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDR6580价格参考。Fairchild SemiconductorFDR6580封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDR6580参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDR6580 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDR6580是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理场景。其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：适用于DC-DC转换器、同步整流电路等，尤其在降压（Buck）和升压（Boost）转换器中表现优异，可提高整体转换效率。 2. 电池供电设备：由于具备低导通电阻（RDS(on)）和低功耗特性，常用于笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携式电子产品中，有助于延长电池续航时间。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，提供快速响应和高效控制。 4. 负载开关与电源管理：可用于智能设备中的电源开关控制，实现对不同模块的上电/断电管理，降低待机功耗。 5. 热插拔电路：凭借良好的电流处理能力和稳定性，适合用于支持热插拔功能的接口电源控制。 FDR6580采用紧凑型封装（如PowerTSSOP或类似），具有优良的散热性能，适合高密度PCB布局。其优化的栅极电荷和开关特性，使其在高频开关应用中也能保持较低的开关损耗，提升系统能效。总体而言，该器件适用于追求高效率、小体积和高可靠性的中低功率电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDR6580 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3829pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 11.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SSOT |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT，SuperSOT-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.2A （Ta） |
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