Datasheet下载- 型号： FDJ127P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDJ127P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDJ127P价格参考。Fairchild SemiconductorFDJ127P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDJ127P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDJ127P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDJ127P 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款P沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 120 mΩ @ VGS = –4.5 V）、小尺寸、高性价比等特点。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，用于实现反向电流阻断、电池充放电路径控制等。 2. 低压直流电源切换：在3.3V/5V供电系统中作为高侧或低侧开关，用于LED驱动、传感器供电使能、外设电源启停控制等。 3. 电池供电系统中的反向电压保护（Reverse Polarity Protection）：利用P-MOSFET的体二极管方向特性，配合合理布线，可低成本实现防接反保护，提升系统可靠性。 4. 小型DC-DC转换器辅助开关：在同步降压或升降压拓扑中，作为辅助开关或自举电路组件（需结合驱动设计），但受限于SOT-23封装功率能力，仅适用于小电流（ID ≤ 1.2A连续）场合。 注意：FDJ127P额定电压为–20V，最大连续漏极电流为–1.2A（TA=25°C），热性能受限于SOT-23封装，不适用于大功率或高频率开关场景（如主功率开关或>1MHz PWM）。设计时需注意PCB散热、栅极驱动稳定性及SOA（安全工作区）裕量。 综上，该器件主要面向空间敏感、成本敏感、中低功率（<2W）的便携式与嵌入式系统的电源开关与保护应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDJ127P |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 780pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 4.1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC75-6 FLMP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A （Ta） |
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