Datasheet下载- 型号： FDI047AN08A0
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDI047AN08A0由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDI047AN08A0价格参考。Fairchild SemiconductorFDI047AN08A0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDI047AN08A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDI047AN08A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDI047AN08A0 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench Power MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅4.7mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=80A）、耐压80V，并集成ESD保护与优化的开关特性。 其主要应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； ✅ 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制、电动工具、风扇及泵类驱动的H桥或半桥下管； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的充放电主控开关或均衡开关，支持大电流通断与快速响应； ✅ LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动及调光电路中作PWM开关元件； ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否为车规版），可用于车载USB充电模块、座椅/车窗控制等12V系统负载开关。 该器件采用SO-8封装（带裸焊盘），兼顾散热性与PCB布局灵活性，适合空间受限但需高功率密度的设计。其低Qg与快速开关特性亦有助于减小EMI和提升系统能效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDI047AN08A0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 138nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.7 毫欧 @ 80A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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