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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDI045N10A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDI045N10A价格参考。Fairchild SemiconductorFDI045N10A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDI045N10A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDI045N10A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDI045N10A 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块中,用于高效能电能转换。 2. 电机驱动:可用于直流电机或步进电机的控制电路中,作为高速开关元件,提供稳定的驱动能力。 3. 负载开关:在需要频繁开启与关闭负载的系统中,如LED照明控制、电池供电设备中,作为电子开关使用。 4. 逆变器与变频器:在小型逆变器或家用电器中的变频控制部分,用于实现交流输出波形的调节。 5. 工业自动化:广泛应用于工业控制系统中,如PLC、传感器模块、继电器替代方案等,提升系统响应速度与可靠性。 6. 汽车电子:由于其良好的稳定性和耐压能力,也适用于车载电源系统、车灯控制模块等场景。 该MOSFET具备高耐用性与较强的电流承载能力,适合于要求高效、小型化设计的各类电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDI045N10A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5270pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 74nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.5 毫欧 @ 100A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-262-3 |
| 功率-最大值 | 263W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |