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  • 型号: FDI045N10A
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDI045N10A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDI045N10A价格参考。Fairchild SemiconductorFDI045N10A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDI045N10A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDI045N10A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDI045N10A 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块中,用于高效能电能转换。

2. 电机驱动:可用于直流电机或步进电机的控制电路中,作为高速开关元件,提供稳定的驱动能力。

3. 负载开关:在需要频繁开启与关闭负载的系统中,如LED照明控制、电池供电设备中,作为电子开关使用。

4. 逆变器与变频器:在小型逆变器或家用电器中的变频控制部分,用于实现交流输出波形的调节。

5. 工业自动化:广泛应用于工业控制系统中,如PLC、传感器模块、继电器替代方案等,提升系统响应速度与可靠性。

6. 汽车电子:由于其良好的稳定性和耐压能力,也适用于车载电源系统、车灯控制模块等场景。

该MOSFET具备高耐用性与较强的电流承载能力,适合于要求高效、小型化设计的各类电子设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FDI045N10A

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

PowerTrench®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5270pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

74nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.5 毫欧 @ 100A,10V

供应商器件封装

TO-262-3

功率-最大值

263W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

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