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- 型号： FDG361N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG361N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG361N价格参考。Fairchild SemiconductorFDG361N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDG361N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDG361N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDG361N 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用超小型TSOP-6封装（2.9 mm × 1.6 mm），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅25 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.5 nC）和快速开关特性。其额定电压为30 V，连续漏极电流达4.5 A（TS = 25°C），适合低压、中电流、高效率的开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关、电池保护电路及DC-DC转换器（同步整流侧）； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小功率LED灯串的PWM调光开关，响应快、功耗低； ✅ 电机驱动：驱动微型直流电机（如振动马达、小风扇）或步进电机的H桥低端开关； ✅ USB接口保护/热插拔电路：配合限流IC实现过流/短路保护； ✅ 负载开关（Load Switch）：替代机械开关或LDO，实现系统分区上电时序控制与低静态功耗管理。 其小尺寸、低热阻（θJA ≈ 120°C/W）及兼容1.8 V–4.5 V逻辑电平驱动（支持直接由MCU GPIO控制），特别适用于空间受限、强调能效与响应速度的消费类与工业嵌入式系统。不适用于高压（>30 V）或大功率（>5 W持续耗散）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDG361N |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 153pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 500 毫欧 @ 600mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 600mA （Ta） |
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