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- 型号： FDG314P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG314P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG314P价格参考。Fairchild SemiconductorFDG314P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDG314P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDG314P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDG314P 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款P沟道增强型功率MOSFET，采用超小型TSOP-6封装（2.0 mm × 2.1 mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 0.15 Ω @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.5 nC）和快速开关特性。其额定参数为：VDSS = –20 V，ID = –2.5 A（连续），IDM = –8 A（脉冲），适合低压、中低电流的高效开关应用。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或USB端口过流/反向保护； 2. DC-DC转换器：作为同步整流管或高边/低边开关，用于降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑，提升能效； 3. LED驱动与背光控制：在小型LCD/OLED显示屏中实现PWM调光或区域关断； 4. 电机驱动辅助电路：用于微型振动马达、风扇或摄像头OIS模块的启停控制； 5. 热插拔与电源排序电路：利用其低阈值电压（VGS(th) ≈ –0.5 V至–1.2 V）和快速响应，实现平滑上电/断电控制。 其小尺寸、低功耗及兼容1.8 V/3.3 V逻辑电平驱动的特点，特别适用于空间受限、强调能效与可靠性的消费类及工业嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDG314P |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 63pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70 |
| 功率-最大值 | 480mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 650mA （Ta） |
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