Datasheet下载- 型号： FDFS2P753AZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFS2P753AZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFS2P753AZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDFS2P753AZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDFS2P753AZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFS2P753AZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDFS2P753AZ 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款双N沟道增强型功率MOSFET，采用紧凑的SO-8封装（含内部肖特基二极管），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 7.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 75 A）和快速开关特性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC同步整流：常用于降压（Buck）转换器的下管，配合上管MOSFET实现高效能量转换，广泛应用于服务器电源、通信设备及工业电源模块； ✅ 负载开关与电源管理：适用于主板VRM、GPU供电、POL（Point-of-Load）稳压器等需低损耗通断控制的场景； ✅ 电机驱动电路：在中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥/半桥驱动中用作功率开关； ✅ 电池管理系统（BMS）保护电路：支持充放电路径的高效率通断控制，满足过流/短路保护响应需求； ✅ LED驱动与照明电源：用于恒流调光或PWM调光回路中的高速开关节点。 该器件集成优化的体二极管（具备软恢复特性），可降低开关噪声与EMI，提升系统可靠性。其SO-8封装兼顾散热性与PCB布局灵活性，适合空间受限但对效率要求较高的中高功率应用。需注意设计时合理配置栅极驱动（避免振荡）并加强PCB铜箔散热。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3A SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDFS2P753AZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 455pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 115 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | FDFS2P753AZDKR |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
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