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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FDFS2P103
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFS2P103由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFS2P103价格参考。Fairchild SemiconductorFDFS2P103封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDFS2P103参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFS2P103 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDFS2P103 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用紧凑的SO-8封装（实际为双芯片集成结构，但数据手册明确归类为“单个器件”，即单封装双MOSFET，常用于同步整流或半桥驱动等场景）。需注意：该型号并非单个MOSFET，而是共源极连接的双N沟道MOSFET对（典型配置），具有低导通电阻（Rds(on) ≈ 10.3 mΩ @ Vgs=10V）、快速开关特性和优化的栅极电荷，适用于高效率DC-DC转换。 主要应用场景包括： ✅ 同步降压（Buck）转换器的下管/上管：尤其适配中大功率（如12V输入、3–20A输出）的POL（负载点）电源，提升转换效率并减小发热； ✅ ORing（均流/冗余电源）电路：利用其低Rds(on)和快速体二极管恢复特性，替代肖特基二极管，降低压降与损耗； ✅ 电机驱动H桥的半桥单元：配合外部驱动，用于小型直流无刷电机或步进电机的功率级； ✅ 热插拔（Hot-swap）及电子保险丝（eFuse）设计：凭借精确的电流检测能力与快速关断响应，实现过流保护。 其逻辑电平兼容性（Vgs(th)低至1–2V）支持3.3V/5V MCU直接驱动，简化外围电路。广泛应用于通信电源、工业PLC模块、服务器VRM、LED驱动及车载DC-DC模块等对能效与空间敏感的场景。使用时需注意PCB散热设计及栅极驱动稳定性，避免振荡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDFS2P103 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 528pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 59 毫欧 @ 5.3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDFS2P103DKR |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A （Ta） |
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