Datasheet下载- 型号： FDFMJ2P023Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFMJ2P023Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFMJ2P023Z价格参考。Fairchild SemiconductorFDFMJ2P023Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDFMJ2P023Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFMJ2P023Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDFMJ2P023Z 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用紧凑的FlatPower™（SO-8FL）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅23mΩ @ Vgs = –10V）、快速开关特性及高雪崩耐量。其额定电压为–20V，连续漏极电流达–12A（Tc=25℃），适用于低压、中电流的高效开关场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、智能手表）中的负载开关或电池保护电路，实现低功耗启停控制； 2. DC-DC转换器：作为同步降压（Buck）转换器的高边或低边开关（常与N-MOSFET搭配），提升转换效率； 3. 电机驱动：驱动小型直流有刷电机（如风扇、微型泵、摄像头云台），支持PWM调速； 4. LED背光/照明驱动：用于LCD背光调光或智能照明的恒流/开关控制； 5. 热插拔与电源排序电路：利用其快速关断能力，防止浪涌电流和反向电流，保障系统可靠性。 该器件具备100%通过UIS（非钳位感性开关）测试，抗冲击能力强，配合小尺寸封装，特别适合空间受限、强调能效与可靠性的消费电子与工业嵌入式应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDFMJ2P023Z |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 112 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-MLP |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A （Ta） |
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