Datasheet下载- 型号： FDD6778A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6778A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6778A价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6778A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD6778A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD6778A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD6778A 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 14.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高阈值电压（VGS(th) 典型值3.0 V）、额定电压60 V、连续漏极电流达90 A（TC = 25°C），具备优良的开关性能与热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于同步整流BUCK/BOOST转换器、服务器/通信设备的POL（负载点）电源模块中，提升效率并减小散热需求； ✅ 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，尤其在电动工具、家电（如吸尘器、风扇）中承担高速开关与电流控制功能； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于锂电池保护板中的充放电回路控制与过流保护开关； ✅ LED照明驱动：在恒流LED驱动器中作为PWM调光主开关管，支持高频、低损耗调光； ✅ 工业控制与电源热插拔电路：凭借快速开关特性（ton/toff 约20/15 ns）和雪崩耐量（EAS = 320 mJ），适用于需高可靠性的嵌入式电源管理场景。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容3.3 V/5 V MCU直接驱动），简化外围设计，同时具备无铅、符合RoHS标准等优势，适合对成本、能效与可靠性均有要求的中高功率消费类及工业级应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 12A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD6778A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD6778ADKR |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 10A （Tc） |
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