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- 型号： FDD5N50FTF_WS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD5N50FTF_WS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD5N50FTF_WS价格参考。Fairchild SemiconductorFDD5N50FTF_WS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD5N50FTF_WS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD5N50FTF_WS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD5N50FTF_WS 是安森美（onsemi）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220F封装（带绝缘法兰），额定电压500V，连续漏极电流5A（Tc=25℃），典型导通电阻Rds(on)为1.4Ω（Vgs=10V）。其“WS”后缀代表符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，具备增强的高温、高湿及抗浪涌能力。 主要应用场景包括： 1. 车载电源系统：如车载DC-DC转换器、LED车灯驱动、电动座椅/车窗控制模块中的开关电路； 2. 工业控制：中小功率开关电源（SMPS）、电机驱动（如风扇、小型泵）、PLC输出级、继电器替代电路； 3. 消费类与家电：电磁炉、微波炉、空气净化器等高可靠性中功率开关应用； 4. 照明电子：LED恒流驱动器、智能调光电源中的主开关管。 该器件具备快速开关特性（典型ton/toff约20ns/40ns）、内置ESD保护及雪崩耐量（EAS=290mJ），适用于硬开关和部分软开关拓扑。TO-220F封装支持PCB安装并满足电气隔离要求，便于散热设计。因其AEC-Q101认证，更适用于对长期可靠性、温度循环稳定性及失效安全有严苛要求的车载与工业环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD5N50FTF_WS |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UniFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.55 欧姆 @ 1.75A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Tc） |
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