【未分类_FDC655N】封装/厂家_FDC655N中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： FDC655N
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDC655N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC655N价格参考。Fairchild SemiconductorFDC655N封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FDC655N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC655N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDC655N 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用SOT-23-6小型封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为35mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷及快速开关特性。其典型应用场景包括：

1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关、电源路径管理（Power Path）及电池充放电保护电路，利用其双MOSFET结构实现高效同步整流或反向电流阻断。

2. DC-DC转换器：常用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），配合外部高端驱动器或控制器（如NCP1529），提升转换效率与功率密度。

3. LED背光/照明驱动：在多路LED恒流驱动中用作PWM调光开关，支持高频开关（>1MHz），减少外围元件尺寸。

4. H桥电机驱动（小功率）：适用于微型直流电机、振动马达或摄像头对焦模块的双向控制，双N-MOS结构可配合外置高边驱动或采用半桥配置。

5. 热插拔与浪涌电流抑制：集成于USB接口、IoT传感器节点等板级电源入口，提供软启动和过流保护功能。

该器件工作电压范围为±12V（Vgs），漏源耐压20V，适合3.3V/5V逻辑电平直接驱动，兼具高可靠性与小尺寸优势，广泛应用于空间受限、能效敏感的消费类及工业嵌入式系统中。

产品参数图文手册常见问题