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- 型号： FDB8132
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB8132由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB8132价格参考。Fairchild SemiconductorFDB8132封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB8132参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB8132 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB8132 是安森美（onsemi）出品的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为8.5 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=60A）及优良的开关性能。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流Buck/Boost转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机、步进电机驱动模块（如风扇控制、电动工具、家用电器），支持PWM高频调速； - 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、主板VRM、热插拔电路中用作高效、快速响应的电源通断控制开关； - 逆变器与LED驱动：在低压LED恒流驱动、小型离网逆变器中承担开关功能，兼顾效率与可靠性。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated），内置体二极管恢复特性良好，适合硬开关应用；同时支持逻辑电平驱动（Vgs(th) 2–4V），可直接由MCU或驱动IC控制，简化外围设计。需注意PCB布局散热及栅极驱动稳定性，以充分发挥其性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDB8132 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14100pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 350nC @ 13V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 毫欧 @ 80A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 功率-最大值 | 341W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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