Datasheet下载- 型号： FDB6670AL
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB6670AL由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB6670AL价格参考。Fairchild SemiconductorFDB6670AL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB6670AL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB6670AL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB6670AL 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，适合在高功率密度和高开关频率的电路中使用。 其典型应用场景包括： 1. DC-DC转换器：用于服务器、通信设备和工业电源中的升压或降压电路，实现高效能量转换。 2. 同步整流器：在开关电源（SMPS）中替代传统二极管，提高转换效率，降低损耗。 3. 负载开关和电源管理：用于控制电池供电设备中的电源分配，如笔记本电脑、平板电脑和智能设备。 4. 电机驱动和功率开关：适用于电动工具、无人机、机器人等需要高效功率控制的场合。 5. 汽车电子：如车载充电器、DC-DC转换器和车身控制模块，满足汽车应用对可靠性和效率的要求。 FDB6670AL采用高性能封装，具有良好的热性能和电流导通能力，适合在高工作温度环境下稳定运行。其优异的性能使其成为高性能电源系统中的关键元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB6670AL |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2440pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 68W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Ta） |
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