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产品简介:
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FD6M033N06 是安森美(ON Semiconductor)推出的双通道N沟道逻辑电平MOSFET阵列,采用SO-8封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值3.3mΩ @ Vgs=10V)、高电流能力(ID=60A)及优化的开关性能。其典型应用场景包括: 1. DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK转换器,双MOSFET结构可简化半桥或双相输出设计,提升效率与功率密度。 2. 电机驱动:适用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动模块,支持高频PWM控制,降低导通损耗与温升。 3. 负载开关与电源管理:在多路供电系统中用作高效、低延迟的双通道电源路径开关(如USB PD、热插拔保护),集成ESD保护与低阈值电压(Vgs(th)≈1.5V),兼容3.3V/5V逻辑控制。 4. LED驱动与照明系统:用于智能调光电路或多通道LED恒流驱动的开关级,满足快速响应与低功耗要求。 该器件具备优良的雪崩耐量与热稳定性,适合高可靠性工业及通信应用。需注意PCB布局散热设计,并配合适当栅极驱动以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC RECT MOD 60V/73A SYNC EPM15 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FD6M033N06 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Power-SPM™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6010pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 129nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.3 毫欧 @ 40A,10V |
| 供应商器件封装 | EPM15 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | EPM15 |
| 标准包装 | 19 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 73A |