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- 型号： FCP21N60N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCP21N60N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCP21N60N价格参考。Fairchild SemiconductorFCP21N60N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FCP21N60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCP21N60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCP21N60N 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220封装，主要参数包括：600V漏源耐压（VDSS）、21A连续漏极电流（ID，TC=25°C）、典型导通电阻RDS(on)为0.23Ω（VGS=10V），具备快速开关特性和良好的雪崩耐量。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源等的主开关管，适用于反激（Flyback）、正激（Forward）及LLC谐振拓扑。 ✅ 工业电机控制：在中小功率变频器、风机/水泵驱动中作为逆变桥上臂或下臂开关器件。 ✅ 不间断电源（UPS）与逆变器：承担DC-AC能量转换中的高频开关任务。 ✅ 电磁炉与感应加热设备：利用其高电压和可靠开关能力实现谐振功率输出。 ✅ 光伏微逆变器与储能系统：适用于直流侧高压输入或交流侧并网开关环节（需配合驱动与保护电路）。 该器件具备低栅极电荷（Qg≈50nC）和优化的体二极管特性，有助于降低开关损耗与EMI，提升整机效率。但需注意：实际应用中须合理设计驱动电路（推荐12–15V驱动电压）、散热管理（TO-220需配合适当散热器）及过压/过流保护，以确保长期可靠性。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V TO220-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FCP21N60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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