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- 型号： EMT1DXV6T5
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMT1DXV6T5由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMT1DXV6T5价格参考。ON SemiconductorEMT1DXV6T5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EMT1DXV6T5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMT1DXV6T5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的EMT1DXV6T5是一款双极性晶体管（BJT）阵列，采用SOT-563封装（6引脚），内部集成两个独立的NPN晶体管（共发射极配置，带基极-发射极电阻），具有内置偏置电阻（R1 = R2 = 22 kΩ），属于数字晶体管（Digital Transistor, DTR）类别。 其典型应用场景包括： • 逻辑电平接口与信号切换：用于微控制器（如STM32、PIC、ESP32）GPIO口驱动小功率负载，简化外围电路（无需外接基极电阻）； • LED驱动与指示灯控制：驱动单颗或多颗低电流LED（Ic ≤ 100 mA），适用于消费电子面板、家电状态指示； • 继电器/小型电磁阀驱动：配合续流二极管，驱动5V/12V低功耗继电器线圈； • 电平转换与反相缓冲：实现3.3V↔5V系统间信号整形与隔离； • 便携式设备电源管理：在电池供电设备中用作负载开关或使能控制（如LDO使能端控制）； • 工业I/O模块输入调理：对传感器开关信号（如接近开关、按钮）进行电平适配与噪声抑制（得益于内置电阻的抗干扰增强）。 该器件具备高增益（hFE ≥ 100）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.3 V @ Ic = 10 mA）、宽工作温度范围（−55°C 至 +150°C），适合空间受限、需高可靠性及简化BOM的设计场景。注意：不适用于大电流、高频开关（>100 kHz）或线性放大应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 60V 100MA SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | EMT1DXV6T5 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 140MHz |
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