Datasheet下载- 型号： EMH2314-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMH2314-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMH2314-TL-H价格参考。ON SemiconductorEMH2314-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EMH2314-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMH2314-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
EMH2314-TL-H 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用超小型TSOP-6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约28 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及高集成度。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池充放电路径控制或背光LED驱动的高效开关；双MOSFET结构可支持同步整流或H桥预驱。 2. DC-DC转换器与POL（点负载）模块：在小型化降压（Buck）转换器中用作高侧/低侧开关（需搭配驱动），或作为同步整流MOSFET提升转换效率（尤其适用于12V转3.3V/1.8V等低压大电流场景）。 3. 电机驱动与微型执行器控制：用于小功率有刷直流电机（如摄像头自动对焦、微型风扇、玩具马达）的H桥驱动核心，节省PCB面积并简化布局。 4. USB Type-C接口保护与切换：配合USB PD协议芯片，实现VBUS通路控制、过流保护及正反插检测电路中的双向开关功能。 5. 工业传感器节点与IoT终端：在低功耗无线模组（如NB-IoT、BLE）中用于外设供电使能控制，利用其低阈值电压（Vgs(th) 0.5–1.2V）和微安级关断漏电流，延长电池寿命。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容1.8V/3.3V MCU），ESD防护达±2kV（HBM），适合高密度、低功耗、小尺寸要求的消费类及嵌入式应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 12V 5A EMH8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | EMH2314-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 37 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-EMH |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A |
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