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- 型号： EMC2DXV5T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMC2DXV5T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMC2DXV5T1价格参考。ON SemiconductorEMC2DXV5T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EMC2DXV5T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMC2DXV5T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的EMC2DXV5T1是一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含基极-发射极和基极-集电极电阻），采用SOT-563（SC-88）小型封装，内含两个独立的NPN晶体管。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑接口电平转换与驱动：适用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出信号的缓冲与增强，驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或低功耗负载；预偏置设计简化外围电路，无需外接基极电阻。 2. LED背光/指示灯控制：常用于便携设备（如智能手机、平板、可穿戴设备）的LED背光或多色指示灯驱动，支持低电流（Ic ≤ 100 mA）开关应用，节省PCB空间。 3. 电源管理辅助电路：在DC-DC转换器或LDO稳压电路中，用作使能（EN）信号调理、电源状态检测或复位信号整形。 4. 通信接口保护与信号调理：在I²C、UART等低速总线中，实现开漏输出上拉增强或总线隔离，提升抗干扰能力。 该器件具有高增益（hFE典型值160）、低饱和压降（VCE(sat) < 0.15 V @ Ic=10 mA）、ESD防护（HBM ≥ 2 kV）及AEC-Q101认证（部分批次），亦适用于汽车电子中的车身控制模块（BCM）等非安全关键场景。 注：不推荐用于大功率开关、高频放大或线性稳压等高功耗/高精度模拟应用。设计时需注意热耗散与并联使用时的匹配性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | EMC2DXV5T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-553 |
| 其它名称 | EMC2DXV5T1OSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-553 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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