ICGOO在线商城 > 传感器，变送器 > 光学传感器 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出 > EE-SH3-G
Datasheet下载- 型号： EE-SH3-G
- 制造商： Omron Electronics LLC
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
EE-SH3-G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EE-SH3-G由Omron Electronics LLC设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EE-SH3-G价格参考￥18.61-￥20.70。Omron Electronics LLCEE-SH3-G封装/规格：光学传感器 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出， Optical Sensor Transmissive 0.134" (3.4mm) Phototransistor PCB Mount。您可以下载EE-SH3-G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EE-SH3-G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Omron Electronics Inc-EMC Div生产的EE-SH3-G型号光学传感器属于光断续器（槽型，晶体管输出）类别，广泛应用于各种工业自动化和消费电子领域。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 物体检测与计数 - EE-SH3-G可用于检测通过其槽型开口的物体，例如在生产线上传送的小部件或零件。当物体遮挡光路时，传感器会生成信号，用于计数或触发后续动作。 - 应用实例：包装机械中对产品数量的统计、分拣系统中的物品识别。 2. 旋转编码器 - 在旋转设备中，EE-SH3-G可以安装在编码盘附近，通过检测编码盘上的缺口或标记来测量旋转速度、角度或位置。 - 应用实例：电机控制、风扇转速监测、机器人关节角度反馈。 3. 限位开关 - 该传感器可用作机械装置的限位开关，检测移动部件是否到达预定位置。例如，在滑轨或传送带上，通过槽型传感器判断物体是否到达指定点。 - 应用实例：打印机纸张到位检测、自动门限位检测。 4. 同步信号生成 - 在需要精确同步的系统中，EE-SH3-G可以提供高精度的触发信号。例如，在多轴运动控制系统中，它可以帮助实现各轴之间的同步操作。 - 应用实例：印刷机的套准控制、多工位设备的协调运行。 5. 液位检测 - 结合浮子或其他浮动装置，EE-SH3-G可以间接检测液体的高度变化。当浮子随液面升降时，传感器检测到光路的变化并输出信号。 - 应用实例：储罐液位监控、洗衣机水位检测。 6. 安全防护 - 在一些设备中，EE-SH3-G可以用作安全保护装置，防止未经授权的操作或意外启动。例如，检测关键部位是否有障碍物存在。 - 应用实例：工业设备的安全联锁、电梯门关闭检测。 7. 脉冲信号生成 - 由于其晶体管输出特性，EE-SH3-G能够直接驱动逻辑电路或微控制器输入端，生成脉冲信号以供进一步处理。 - 应用实例：步进电机步数记录、时间间隔测量。 总结 EE-SH3-G凭借其紧凑的设计、高灵敏度和稳定性能，适用于多种需要非接触式检测的场合。无论是工业生产还是家用电器，这款槽型光断续器都能提供可靠的解决方案，确保系统的高效运行和精准控制。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | SENSR OPTO SLOT 3.4MM TRANS THRU光学开关（透射型，光电晶体管输出） PHOTO MICROSENSOR |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Omron Electronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光学开关（透射型，光电晶体管输出）,Omron Electronics EE-SH3-G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | EE-SH3-G |
| 上升时间 | 4 us |
| 下降时间 | 4 us |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 光学开关（透射型，光电晶体管输出） |
| 光圈宽度 | 0.5 mm |
| 其它名称 | EE-SH3-G-ND |
| 其它有关文件 | |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | 托盘 |
| 响应时间 | 4µs， 4µs |
| 商标 | Omron Electronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | PCB 安装 |
| 工作温度 | -25°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 感应方式 | Transmissive, Slotted |
| 感应方法 | 可传导的 |
| 感应距离 | 0.134"（3.4mm） |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大集电极电流 | 20 mA |
| 最小工作温度 | - 25 C |
| 标准包装 | 50 |
| 槽宽 | 3.4 mm |
| 正向电流 | 50 mA |
| 波长 | 940 nm |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/nonamplified-photomicrosensors/52959 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-DC正向(If) | 50mA |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20mA |
| 类型 | 无放大 |
| 系列 | EE-SH3 |
| 输出设备 | Phototransistor |
| 输出配置 | 光电晶体管 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 零件号别名 | 367288 EESH3GNC |
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
PDF Datasheet 数据手册内容提取
Photomicrosensor (Transmissive) EE-SH3 Series Be sure to read Precautions on page25. ■ Dimensions ■ Features Note:All units are in millimeters unless otherwise indicated. (cid:129)High-resolution model with a 0.2-mm-wide or 0.5-mm-wide sensing aperture, high-sensitivity model with a 1-mm-wide sensing aper- Four, R1 Two, C1.5 ture, and model with a horizontal sensing aperture are available. (cid:129)Solder terminal models: 6.2 EE-SH3/-SH3-CS/-SH3-DS/-SH3-GS (cid:129)PCB terminal models: 19±0.15 EE-SH3-B/-SH3-C/-SH3-D/-SH3-G 25.4 Matted Solder terminal PCB terminal Two, 3.2±0.2 Center mark Cross section AA Cross section AA ■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) dia. holes 3.4±0.2 Item Symbol Rated value Emitter Forward current I 50 mA 10.2 F 7.2±0.2 7.2±0.2 (seenote 1) Pulse forward cur- I 1 A FP rent (seenote2) Four, 0.25 Reverse voltage V 4 V 7.6±0.3 2.54±0.2 R Detector Collector–Emitter V 30 V CEO voltage Model Aperture (a x b) Emitter–Collector V --- ECO EE-SH3(-B) 2.1 x 0.5 voltage EE-SH3-C(S) 2.1 x 1.0 Collector current I 20 mA C EE-SH3-D(S) 2.1 x 0.2 Collector dissipa- P 100 mW Internal Circuit C EE-SH3-G(S) 0.5 x 2.1 tion (seenote 1) K C Ambient tem- Operating Topr –25°C to 85°C Unless otherwise specified, the perature Storage Tstg –30°C to 100°C tolerances are as shown below. Soldering temperature Tsol 260°C A E Dimensions Tolerance (see note 3) 3 mm max. ±0.2 Note:1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temper- Terminal No. Name 3 < mm ≤ 6 ±0.24 ature exceeds 25°C. A Anode 6 < mm ≤ 10 ±0.29 2. The pulse width is 10 μs maximum with a frequency of K Cathode 100Hz. 10 < mm ≤ 18 ±0.35 C Collector 3. Complete soldering within 10 seconds. E Emitter 18 < mm ≤ 30 ±0.42 ■ Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C) Item Symbol Value Condition EE-SH3(-B) EE-SH3-C(S) EE-SH3-D(S) EE-SH3-G(S) Emitter Forward voltage V 1.2 V typ., 1.5 V max. I = 30 mA F F Reverse current I 0.01 μA typ., 10 μA max. V = 4 V R R Peak emission wave- λ 940 nm typ. I = 20 mA P F length Detector Light current I 0.5 to 14 mA typ. 1 to 28 mA typ. 0.1 mA min. 0.5 to 14 mA I = 20 mA, L F V = 10 V CE Dark current I 2 nA typ., 200 nA max. V = 10 V, D CE 0lx Leakage current I --- --- LEAK Collector–Emitter satu- V (sat) 0.1 V typ., 0.4 V max. --- 0.1 V typ., I = 20 mA, CE F rated voltage 0.4 V max. I = 0.1 mA L Peak spectral sensitivity λ 850 nm typ. V = 10 V P CE wavelength Rising time tr 4 μs typ. V = 5 V, CC Falling time tf 4 μs typ. RL = 100 Ω, I = 5 mA L 108 EE-SH3 Series Photomicrosensor (Transmissive)
■ Engineering Data Forward Current vs. Collector Forward Current vs. Forward Light Current vs. Forward Current Dissipation Temperature Rating Voltage Characteristics (Typical) Characteristics (Typical) Forward current I (mA)F PIFC ector dissipation P (mW)C Forward current I (mA)F TTTaaa === 27−503°°0CC°C Light current I (mA)L TVaC E= = 2 150°C V oll C Ambient temperature Ta (°C) Forward voltage VF (V) Forward current IF (mA) Light Current vs. Collector−Emitter Relative Light Current vs. Ambi- Dark Current vs. Ambient Voltage Characteristics (EE-SH3(-B)) ent Temperature Characteristics Temperature Characteristics (Typical) (Typical) A) Ta = 25°C (%)L IVFC =E 2=0 5 m VA nA) V0 ClEx = 10 V Light current I (mL IIIIIFFFFF ===== 4321500000 mmmmmAAAAA ative light current I Dark current I (D el R Collector−Emitter voltage VCE (V) Ambient temperature Ta (°C) Ambient temperature Ta (°C) Response Time vs. Load Resist- Sensing Position Characteristics Sensing Position Characteristics ance Characteristics (Typical) (EE-SH3-D(S)) (EE-SH3(-B)) μme tr, tf (s) TVaC C= = 2 55° VC urrent I (%)L Center TIVoFafC = oE= p 2= t20i c15 am0°l Ca AVx i s current I (%)L Center oTIVFfa C o= Ep= 2t= ic20 a15 lm 0°aC xAVis e ti ht c ght ons e lig ve li Resp elativ Relati R Load resistance RL (kΩ) Distance d (mm) Distance d (mm) Sensing Position Characteristics Sensing Position Characteristics Response Time Measurement (EE-SH3-G(S)) (EE-SH3-C(S)) Circuit nt I (%)L TIVFaC = E= 2= 20 15 m0°−C AV0 nt I (%)L Center TIVoFafC = oE= p 2= t20i c15 am0°l Ca AVx i s OIuntppuutt 9100 %% e e urr d + urr c c ght Center of optical axis ght Input e li e li v v ati ati Output el el R R Distance d (mm) Distance d (mm) EE-SH3 Series Photomicrosensor (Transmissive) 109
Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: O mron: EE-SH3-B EE-SH3-CS EE-SH3-D EE-SH3-DS EE-SH3-G EE-SH3-GS EE-SH3