【光学传感器 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出_EE-SH3】封装/厂家_EE-SH3中文资料_价格

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型号： EE-SH3
制造商： Omron Electronics LLC
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

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EE-SH3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供EE-SH3由Omron Electronics LLC设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EE-SH3价格参考￥17.71-￥23.58。Omron Electronics LLCEE-SH3封装/规格：光学传感器 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出， Optical Sensor Transmissive 0.134" (3.4mm) Phototransistor PCB Mount。您可以下载EE-SH3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EE-SH3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Omron Electronics Inc-EMC Div生产的EE-SH3型号属于光学传感器中的光断续器（槽型，晶体管输出）。该型号的应用场景广泛，主要集中在需要高精度检测和控制的领域。以下是EE-SH3的主要应用场景：

1. 工业自动化  
   - 用于生产线上的物体检测、计数或定位。例如，在输送带上检测零件是否到位或统计通过的数量。
   - 监控机械运动状态，如检测旋转轴的角度或速度。

2. 办公设备  
   - 在打印机、复印机和扫描仪中，用于纸张检测、卡纸识别或页面计数。
   - 检测纸张路径上的对齐情况或是否存在多张重叠进纸。

3. 消费电子产品  
   - 应用于家用电器中，例如洗衣机检测衣物位置或滚筒转动状态。
   - 在自动门系统中，用于检测障碍物或触发开关。

4. 医疗设备  
   - 用于医疗仪器中监测液体流量或容器液位。
   - 在诊断设备中检测样本位置或移动距离。

5. 交通与物流  
   - 在包装和分拣系统中，用于物品计数或分类。
   - 检测传送带上货物的位置或状态。

6. 游戏与娱乐设备  
   - 用于投币式游戏机或自动售货机中检测硬币或筹码的存在。
   - 在跑步机等健身器材中，监控运动部件的状态。

EE-SH3的特点使其非常适合这些场景：  
- 高灵敏度，能够快速响应微小变化。  
- 小型化设计，便于安装在狭小空间内。  
- 槽型结构提供稳定的检测性能，适合高速运动环境。  
- 晶体管输出支持直接连接到控制系统，简化电路设计。

总之，EE-SH3适用于任何需要非接触式检测、高精度反馈和可靠运行的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	传感器，变送器
描述	SENS OPTO SLOT 3.4MM TRANS SOLDR光学开关（透射型，光电晶体管输出） 3.4MM Optical Sensr Switch Slotted
产品分类	光学传感器 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出
品牌	Omron Electronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	光学开关（透射型，光电晶体管输出）,Omron Electronics EE-SH3-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	EE-SH3
上升时间	4 us
下降时间	4 us
产品目录绘图
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	光学开关（透射型，光电晶体管输出）
光圈宽度	0.5 mm
其它名称	EE-SH3-ND EESH3 OR713 Z2199 Z2199-ND
其它有关文件	点击此处下载产品Datasheet
功率耗散	100 mW
包装	散装
响应时间	4µs， 4µs
商标	Omron Electronics
安装类型	通孔
封装/外壳	PCB 安装
工作温度	-25°C ~ 85°C
工厂包装数量	50
感应方式	Transmissive, Slotted
感应方法	可传导的
感应距离	0.134"（3.4mm）
最大工作温度	+ 85 C
最大集电极电流	20 mA
最小工作温度	- 25 C
标准包装	50
槽宽	3.4 mm
正向电流	50 mA
波长	940 nm
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/nonamplified-photomicrosensors/52959
电压-集射极击穿（最大值）	30V
电流-DC正向(If)	50mA
电流-集电极(Ic)（最大值）	20mA
类型	无放大
系列	EE-SH3
输出设备	Phototransistor
输出配置	光电晶体管
集电极—发射极最大电压VCEO	30 V
零件号别名	1348940 367282 EESH3NC

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Omron Electronics Inc-EMC Div生产的EE-SH3型号属于光学传感器中的光断续器（槽型，晶体管输出）。该型号的应用场景广泛，主要集中在需要高精度检测和控制的领域。以下是EE-SH3的主要应用场景：

1. 工业自动化  
   - 用于生产线上的物体检测、计数或定位。例如，在输送带上检测零件是否到位或统计通过的数量。
   - 监控机械运动状态，如检测旋转轴的角度或速度。

2. 办公设备  
   - 在打印机、复印机和扫描仪中，用于纸张检测、卡纸识别或页面计数。
   - 检测纸张路径上的对齐情况或是否存在多张重叠进纸。

3. 消费电子产品  
   - 应用于家用电器中，例如洗衣机检测衣物位置或滚筒转动状态。
   - 在自动门系统中，用于检测障碍物或触发开关。

4. 医疗设备  
   - 用于医疗仪器中监测液体流量或容器液位。
   - 在诊断设备中检测样本位置或移动距离。

5. 交通与物流  
   - 在包装和分拣系统中，用于物品计数或分类。
   - 检测传送带上货物的位置或状态。

6. 游戏与娱乐设备  
   - 用于投币式游戏机或自动售货机中检测硬币或筹码的存在。
   - 在跑步机等健身器材中，监控运动部件的状态。

EE-SH3的特点使其非常适合这些场景：  
- 高灵敏度，能够快速响应微小变化。  
- 小型化设计，便于安装在狭小空间内。  
- 槽型结构提供稳定的检测性能，适合高速运动环境。  
- 晶体管输出支持直接连接到控制系统，简化电路设计。

总之，EE-SH3适用于任何需要非接触式检测、高精度反馈和可靠运行的场合。

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Photomicrosensor (Transmissive) EE-SH3 Series Be sure to read Precautions on page25. ■ Dimensions ■ Features Note:All units are in millimeters unless otherwise indicated. (cid:129)High-resolution model with a 0.2-mm-wide or 0.5-mm-wide sensing aperture, high-sensitivity model with a 1-mm-wide sensing aper- Four, R1 Two, C1.5 ture, and model with a horizontal sensing aperture are available. (cid:129)Solder terminal models: 6.2 EE-SH3/-SH3-CS/-SH3-DS/-SH3-GS (cid:129)PCB terminal models: 19±0.15 EE-SH3-B/-SH3-C/-SH3-D/-SH3-G 25.4 Matted Solder terminal PCB terminal Two, 3.2±0.2 Center mark Cross section AA Cross section AA ■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) dia. holes 3.4±0.2 Item Symbol Rated value Emitter Forward current I 50 mA 10.2 F 7.2±0.2 7.2±0.2 (seenote 1) Pulse forward cur- I 1 A FP rent (seenote2) Four, 0.25 Reverse voltage V 4 V 7.6±0.3 2.54±0.2 R Detector Collector–Emitter V 30 V CEO voltage Model Aperture (a x b) Emitter–Collector V --- ECO EE-SH3(-B) 2.1 x 0.5 voltage EE-SH3-C(S) 2.1 x 1.0 Collector current I 20 mA C EE-SH3-D(S) 2.1 x 0.2 Collector dissipa- P 100 mW Internal Circuit C EE-SH3-G(S) 0.5 x 2.1 tion (seenote 1) K C Ambient tem- Operating Topr –25°C to 85°C Unless otherwise specified, the perature Storage Tstg –30°C to 100°C tolerances are as shown below. Soldering temperature Tsol 260°C A E Dimensions Tolerance (see note 3) 3 mm max. ±0.2 Note:1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temper- Terminal No. Name 3 < mm ≤ 6 ±0.24 ature exceeds 25°C. A Anode 6 < mm ≤ 10 ±0.29 2. The pulse width is 10 μs maximum with a frequency of K Cathode 100Hz. 10 < mm ≤ 18 ±0.35 C Collector 3. Complete soldering within 10 seconds. E Emitter 18 < mm ≤ 30 ±0.42 ■ Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C) Item Symbol Value Condition EE-SH3(-B) EE-SH3-C(S) EE-SH3-D(S) EE-SH3-G(S) Emitter Forward voltage V 1.2 V typ., 1.5 V max. I = 30 mA F F Reverse current I 0.01 μA typ., 10 μA max. V = 4 V R R Peak emission wave- λ 940 nm typ. I = 20 mA P F length Detector Light current I 0.5 to 14 mA typ. 1 to 28 mA typ. 0.1 mA min. 0.5 to 14 mA I = 20 mA, L F V = 10 V CE Dark current I 2 nA typ., 200 nA max. V = 10 V, D CE 0lx Leakage current I --- --- LEAK Collector–Emitter satu- V (sat) 0.1 V typ., 0.4 V max. --- 0.1 V typ., I = 20 mA, CE F rated voltage 0.4 V max. I = 0.1 mA L Peak spectral sensitivity λ 850 nm typ. V = 10 V P CE wavelength Rising time tr 4 μs typ. V = 5 V, CC Falling time tf 4 μs typ. RL = 100 Ω, I = 5 mA L 108 EE-SH3 Series Photomicrosensor (Transmissive)

■ Engineering Data Forward Current vs. Collector Forward Current vs. Forward Light Current vs. Forward Current Dissipation Temperature Rating Voltage Characteristics (Typical) Characteristics (Typical) Forward current I (mA)F PIFC ector dissipation P (mW)C Forward current I (mA)F TTTaaa === 27−503°°0CC°C Light current I (mA)L TVaC E= = 2 150°C V oll C Ambient temperature Ta (°C) Forward voltage VF (V) Forward current IF (mA) Light Current vs. Collector−Emitter Relative Light Current vs. Ambi- Dark Current vs. Ambient Voltage Characteristics (EE-SH3(-B)) ent Temperature Characteristics Temperature Characteristics (Typical) (Typical) A) Ta = 25°C (%)L IVFC =E 2=0 5 m VA nA) V0 ClEx = 10 V Light current I (mL IIIIIFFFFF ===== 4321500000 mmmmmAAAAA ative light current I Dark current I (D el R Collector−Emitter voltage VCE (V) Ambient temperature Ta (°C) Ambient temperature Ta (°C) Response Time vs. Load Resist- Sensing Position Characteristics Sensing Position Characteristics ance Characteristics (Typical) (EE-SH3-D(S)) (EE-SH3(-B)) μme tr, tf (s) TVaC C= = 2 55° VC urrent I (%)L Center TIVoFafC = oE= p 2= t20i c15 am0°l Ca AVx i s current I (%)L Center oTIVFfa C o= Ep= 2t= ic20 a15 lm 0°aC xAVis e ti ht c ght ons e lig ve li Resp elativ Relati R Load resistance RL (kΩ) Distance d (mm) Distance d (mm) Sensing Position Characteristics Sensing Position Characteristics Response Time Measurement (EE-SH3-G(S)) (EE-SH3-C(S)) Circuit nt I (%)L TIVFaC = E= 2= 20 15 m0°−C AV0 nt I (%)L Center TIVoFafC = oE= p 2= t20i c15 am0°l Ca AVx i s OIuntppuutt 9100 %% e e urr d + urr c c ght Center of optical axis ght Input e li e li v v ati ati Output el el R R Distance d (mm) Distance d (mm) EE-SH3 Series Photomicrosensor (Transmissive) 109

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