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- 型号： ECH8419-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ECH8419-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ECH8419-TL-H价格参考。ON SemiconductorECH8419-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ECH8419-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ECH8419-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的ECH8419-TL-H是一款双N沟道增强型MOSFET（采用SOP-8封装，内含两个独立、匹配良好的低压N-MOS），主要面向高效率、小尺寸电源管理应用。其典型应用场景包括： 1. DC-DC同步整流：在负载点（POL）转换器、Buck变换器中作为下管（low-side switch），利用低导通电阻（Rds(on)典型值仅12.5mΩ @ Vgs=4.5V）和快速开关特性提升转换效率； 2. 电池供电设备电源管理：适用于便携式设备（如TWS耳机充电仓、智能手表、蓝牙模块）中的负载开关、电源路径管理及电池充放电保护电路； 3. 电机驱动与LED驱动：用于小型直流有刷电机（如微型风扇、振动马达）的H桥或半桥驱动，以及多路LED背光/指示灯的PWM调光控制； 4. 热插拔与电子保险丝：凭借内置匹配双管结构，便于构建电流检测与限流保护电路，满足USB PD、Type-C接口的过流防护需求。 该器件支持3.3V/5V逻辑电平驱动，工作结温范围-55°C~150°C，具备ESD保护（HBM 2kV），适用于空间受限且对能效、可靠性要求较高的消费电子与工业嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 35V 9A ECH8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | ECH8419-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 960pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-ECH |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 35V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
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