【未分类_EC4409C-TL-H】封装/厂家_EC4409C-TL-H中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： EC4409C-TL-H
制造商： SANYO Semiconductor Company
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供EC4409C-TL-H由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EC4409C-TL-H价格参考。SANYO Semiconductor CompanyEC4409C-TL-H封装/规格：未分类，暂无。您可以下载EC4409C-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EC4409C-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

EC4409C-TL-H 是一款由安森美（onsemi）推出的射频N沟道增强型MOSFET（RF Power MOSFET），采用表面贴装SOT-89封装，具备高增益、高效率和良好热稳定性，专为中低功率射频放大应用优化。

典型应用场景包括：  
• ISM频段射频功放：适用于2.4 GHz–2.5 GHz频段（如Wi-Fi 802.11b/g/n、Zigbee、蓝牙模块的末级驱动或功率放大级）；  
• 无线通信前端模块：用于短距离无线设备（如智能家居网关、无线音频传输器、遥控器、工业遥测终端）中的线性射频放大；  
• RFID读写器发射链路：在UHF RFID（如902–928 MHz）系统中作为激励级或中功率输出级；  
• 车载无钥匙进入（RKE）、TPMS发射模块等低功耗、小尺寸射频子系统；  
• 业余无线电/教学实验平台：因SOT-89封装易焊接、外围电路简洁，常用于射频电路原型设计与教学演示。

该器件支持DC–2.5 GHz工作频率，典型增益达12–14 dB，输出功率约100–200 mW（取决于偏置与匹配网络），配合简单π型或L型匹配网络即可实现良好输入/输出驻波比（VSWR < 2:1）。需注意合理布局PCB射频走线、接地及散热设计，以保障稳定性和线性度。  

（注：“品牌为-”应为信息缺失，实际品牌为onsemi；型号后缀“-TL-H”表示编带卷装、符合AEC-Q200可靠性标准的工业级版本。）

产品参数图文手册常见问题