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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DZT591C-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DZT591C-13价格参考。Diodes Inc.DZT591C-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DZT591C-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DZT591C-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DZT591C-13 是一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 开关电路:DZT591C-13 可用作电子开关,适用于各种需要快速开启和关闭的电路中,例如电源管理、继电器驱动和LED驱动等。 2. 信号放大:作为一款 BJT,DZT591C-13 具备信号放大的功能,可用于音频设备、传感器信号处理和其他需要低噪声放大的场合。 3. 电流放大:该晶体管能够将微弱的输入电流放大为较大的输出电流,适用于驱动负载能力要求较高的应用,如电机控制或指示灯驱动。 4. 保护电路:在过流保护或短路保护设计中,DZT591C-13 可以作为关键元件,用于检测异常电流并触发保护机制。 5. 电源管理:在一些简单的线性稳压器或电压调节电路中,该晶体管可以起到功率调整管的作用,帮助稳定输出电压。 6. 脉宽调制(PWM)控制:在 PWM 驱动电路中,DZT591C-13 可以实现对直流电机速度或 LED 亮度的精确控制。 总体而言,DZT591C-13 因其优异的性能参数和可靠性,适合应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域中的基础电路设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP BIPO 60V SOT-223两极晶体管 - BJT 1W -60V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DZT591C-13- |
数据手册 | |
产品型号 | DZT591C-13 |
PCN其它 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 100mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | DZT591CDICT |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 150 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 1 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | - 2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流电流增益hFE最大值 | 300 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 15 |
系列 | DZT591C |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V |
集电极—基极电压VCBO | - 80 V |
集电极—射极饱和电压 | - 0.6 V |
集电极连续电流 | - 1 A |
频率-跃迁 | 150MHz |