Datasheet下载- 型号： DTA123JET1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTA123JET1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA123JET1价格参考。ON SemiconductorDTA123JET1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DTA123JET1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTA123JET1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DTA123JET1 是安森美（ON Semiconductor）推出的PNP型数字晶体管（即带内置偏置电阻的预偏置BJT），内置R1=2.2kΩ（基极-发射极上拉）和R2=47kΩ（基极-发射极下拉），采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与信号开关：适用于微控制器（如STM32、ESP32）IO口驱动低功耗负载，可直接接收3.3V/5V TTL/CMOS电平，无需外置偏置电阻，简化PCB设计。 2. LED驱动电路：常用于指示灯、背光控制等小电流（≤100mA）场合，作为低侧或高侧开关（PNP结构适合高侧开关，集电极接负载，发射极接电源）。 3. 继电器/蜂鸣器驱动：配合续流二极管，驱动小型电磁继电器（线圈电流＜100mA）或有源蜂鸣器，提高系统可靠性与响应速度。 4. 电池供电设备中的省电控制：因内置偏置电阻优化了开关特性，关断漏电流极小（IB<100nA），适合便携式设备、IoT传感器节点等对静态功耗敏感的应用。 5. 接口保护与电平整形：在通信接口（如I²C上拉辅助、RS-232电平缓冲）中作电平整形或电流增强级，提升抗干扰能力。 该器件集成度高、外围元件少、一致性好，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子（满足AEC-Q101部分要求）及家电等领域，特别适合空间受限、成本敏感且需快速开发的中小功率开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DTA123JET1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-75，SOT-416 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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