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  • 型号: DTA113EM3T5G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DTA113EM3T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA113EM3T5G价格参考。ON SemiconductorDTA113EM3T5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTA113EM3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTA113EM3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的DTA113EM3T5G是一款预偏置NPN型双极结型晶体管(BJT),集成了内置偏置电阻,简化了电路设计。该器件常用于便携式电子设备和中低功率开关应用中。

典型应用场景包括:手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的信号切换与逻辑控制;LCD背光驱动电路中的LED开关控制;各类电源管理模块中的电平转换与小电流开关;以及小型家电、玩具、遥控器等对空间和成本敏感的嵌入式控制系统。

由于其内置偏置电阻(串联基极和发射极电阻),DTA113EM3T5G无需外接偏置元件,减少了PCB占用面积,提高了可靠性,特别适用于高密度贴装的便携设备。此外,该器件采用SOT-23(SC-59)小型封装,适合表面贴装工艺,便于自动化生产。

总体而言,DTA113EM3T5G因其集成化设计、稳定性能和小型化特点,广泛应用于需要高效、紧凑开关功能的低压、低功耗电子系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP BIPOLAR SOT723

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

ON Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

DTA113EM3T5G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 5mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

3 @ 5mA,10V

供应商器件封装

SOT-723

功率-最大值

260mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-723

晶体管类型

PNP - 预偏压

标准包装

8,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

1k

电阻器-基底(R1)(Ω)

1k

频率-跃迁

-

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