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产品简介:
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DS1250ABP-100 是 Maxim Integrated(现属 Analog Devices)推出的非易失性静态RAM(NV SRAM),容量为64K × 8(512 Kbit),带内置锂电池和自动写保护功能,访问时间为100 ns。其核心特点是“无需外部电池管理即可实现数据永久保存”,掉电后依靠片内锂原电池维持SRAM数据长达10年以上。 典型应用场景包括: 1. 工业控制与PLC系统:用于保存实时运行参数、校准系数、故障日志及配置信息,确保意外断电时关键数据不丢失; 2. 医疗设备:如监护仪、输液泵等,存储患者设置、报警阈值、运行历史等需高可靠性保障的数据; 3. 通信基础设施:在基站、路由器或协议转换器中缓存配置表、MAC地址表或临时会话状态,提升系统重启后的快速恢复能力; 4. 智能电表与能源管理系统:持久记录用电量、事件时间戳(如失压、断相)、需法务级可靠性的计量数据; 5. 军事/航空嵌入式系统:在宽温、高振动、长寿命要求环境下,替代EEPROM/Flash,避免写入延迟与擦写次数限制问题。 该器件采用28引脚DIP封装(ABP后缀),兼容标准SRAM接口,软硬件替换便捷,特别适用于对数据完整性、写入速度、无限次读写及免维护有严苛要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Maxim Integrated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DS1250ABP-100 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 34-PowerCap 模块 |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
| 存储容量 | 4M (512K x 8) |
| 封装/外壳 | 34-PowerCap™ 模块 |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 40 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 速度 | 100ns |