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- 型号： DS1245AB-70IND
- 制造商： Maxim
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DS1245AB-70IND由Maxim设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DS1245AB-70IND价格参考。MaximDS1245AB-70IND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DS1245AB-70IND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DS1245AB-70IND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DS1245AB-70IND 是 Maxim Integrated（现属 Analog Devices）推出的一款 非易失性静态RAM（NV SRAM），采用“内置锂电池+SRAM”集成封装结构。其核心特点是：在断电时依靠片内长效锂电（典型寿命10年）自动保持数据不丢失，无需外部备用电源或写入操作，读写速度与普通SRAM一致（存取时间70ns），且无写入次数限制、无写入延迟。 主要应用场景包括： - 工业控制与自动化设备：用于PLC、CNC控制器、DCS系统中保存实时运行参数、校准数据、故障日志等关键状态信息，确保意外断电后系统可快速恢复； - 医疗电子设备：如监护仪、输液泵、影像设备，存储患者设置、配置参数及临时诊断数据，满足高可靠性与数据完整性要求； - 通信基础设施：基站、路由器、交换机中缓存配置表、MAC地址表或会话状态，在热插拔或电源切换时维持业务连续性； - 智能电表与能源管理系统：记录用电事件、需量数据、断电时间戳等计量信息，符合IEC/GB标准对数据持久性的强制要求； - 军事与航空航天嵌入式系统：在宽温（–40°C 至 +85°C，IND等级）、抗冲击、高可靠性环境下保障关键配置与飞行/任务数据安全。 该器件因免EEPROM/Flash的擦写磨损与延时，特别适用于需频繁读写、断电保护强、寿命长且实时性高的嵌入式场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32EDIP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Maxim Integrated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DS1245AB-70IND |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-EDIP |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 1M （128K x 8） |
| 封装/外壳 | 32-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 11 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 速度 | 70ns |
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