Datasheet下载- 型号： DS1230AB-120IND+
- 制造商： Maxim
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DS1230AB-120IND+由Maxim设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DS1230AB-120IND+价格参考。MaximDS1230AB-120IND+封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DS1230AB-120IND+参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DS1230AB-120IND+ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Maxim Integrated的DS1230AB-120IND+是一款具有非易失性存储特性的静态随机存取存储器（NVSRAM），结合了SRAM与EEPROM技术，能够在断电时自动将数据保存到内部EEPROM中，通电后可自动恢复数据。该器件广泛应用于对数据安全性、系统可靠性要求较高的场景。 其主要应用场景包括： 1. 工业控制系统：如PLC、工业计算机等设备，用于在突发断电情况下保存关键运行数据或配置信息，确保系统重启后能恢复正常运行。 2. 通信设备：用于路由器、交换机或其他网络设备中，保护配置参数和运行日志不因电源故障而丢失。 3. 医疗仪器：在需要高可靠性和数据完整性的医疗设备中，用于存储患者数据、设备设置及操作记录。 4. 智能仪表与计量设备：如电力表、燃气表等，在无供电状态下仍需保留计费或测量数据。 5. 嵌入式系统与数据采集系统：用于需要频繁读写且断电后不可丢失数据的场合，如环境监测系统、远程监控终端等。 DS1230AB-120IND+凭借其高速访问能力、非易失性特性及良好的抗干扰性能，成为众多高可靠性应用领域的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC NVSRAM 256KBIT 120NS 28EDIPNVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Maxim Integrated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,NVRAM,Maxim Integrated DS1230AB-120IND+- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DS1230AB-120IND+ |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25703http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25705 |
| 产品种类 | NVRAM |
| 供应商器件封装 | 28-EDIP |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Maxim Integrated |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 256 kbit |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 28-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 封装/箱体 | EDIP-28 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工作电流 | 85 mA |
| 工厂包装数量 | 12 |
| 应用说明 | 点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet |
| 接口 | 并联 |
| 接口类型 | Parallel |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 电源电压-最大 | 5.25 V |
| 电源电压-最小 | 4.75 V |
| 系列 | DS1230AB |
| 组织 | 32 k x 8 |
| 访问时间 | 120 ns |
| 速度 | 120ns |
| 零件号别名 | 90-1230A+B2I DS1230AB |
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