Datasheet下载- 型号： DMG6968UTS-13
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG6968UTS-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG6968UTS-13价格参考。Diodes Inc.DMG6968UTS-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMG6968UTS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG6968UTS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMG6968UTS-13是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，适用于需要高效、低导通电阻和小尺寸封装的电源管理及开关应用。该器件常用于以下场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统，适用于便携式电子设备和电源适配器。 2. 电机驱动：用于小型电机或继电器的控制电路，提供快速开关和低功耗特性。 3. LED驱动：在LED照明系统中作为电流调节或开关元件。 4. 通信设备：用于信号切换、功率控制或接口电路，适用于路由器、交换机等设备。 5. 工业控制：如PLC、传感器模块和自动化设备中的开关电源或执行器控制。 该器件采用TSOT封装，适合空间受限的高密度设计，且具备良好的热稳定性，适用于中低功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMG6968UTS-13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 143pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | DMG6968UTS-13DI |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A |
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