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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CYT5551HCD
- 制造商： Central Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CYT5551HCD由Central Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CYT5551HCD价格参考。Central SemiconductorCYT5551HCD封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CYT5551HCD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CYT5551HCD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 两极晶体管 - BJT Small Signal Dual NPN Hi Volt |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Central Semiconductor CYT5551HCD |
| 产品型号 | CYT5551HCD |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Central Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-228 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 系列 | CYT5551HCD |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 180 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.2 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
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