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  • 型号: CYT5551HCD
  • 制造商: Central Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CYT5551HCD由Central Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CYT5551HCD价格参考。Central SemiconductorCYT5551HCD封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CYT5551HCD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CYT5551HCD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
品牌

Central Semiconductor

产品目录

半导体

描述

两极晶体管 - BJT Small Signal Dual NPN Hi Volt

产品分类

分离式半导体

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Central Semiconductor CYT5551HCD

产品型号

CYT5551HCD

产品种类

两极晶体管 - BJT

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

Central Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/箱体

SOT-228

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN

最大功率耗散

2 W

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

直流电流增益hFE最大值

250

直流集电极/BaseGainhfeMin

30

系列

CYT5551HCD

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

160 V

集电极—基极电压VCBO

180 V

集电极—射极饱和电压

0.2 V

集电极连续电流

1 A

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