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产品简介:
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CYD18S36V18-200BBAXI 是赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corp)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM),主要应用于需要高性能和高可靠性的系统中。该器件具有36位数据总线宽度、18位地址总线,适用于需要大容量缓存的场景。 其典型应用场景包括: 1. 网络与通信设备:用于路由器、交换机等设备中的数据缓存和转发控制,满足高速数据处理需求。 2. 工业控制系统:在工业自动化设备中作为高速缓存,用于临时存储控制指令和实时数据。 3. 测试与测量仪器:用于高精度测试设备中,存储测试数据和中间计算结果,确保数据读写速度快且稳定。 4. 医疗电子设备:如成像设备或监护系统,用于临时存储关键数据,确保系统响应迅速和运行可靠。 5. 航空航天与汽车电子:适用于对可靠性要求极高的嵌入式系统,如飞行控制系统或车载信息娱乐系统。 该SRAM具有宽温工作范围(工业级温度),适用于严苛环境,且支持异步操作,便于与多种处理器和控制器接口兼容。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256FBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | CYD18S36V18-200BBAXI |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 256-FBGA(17x17) |
其它名称 | CYD18S36V18200BBAXI |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | SRAM - 双端口,同步 |
存储容量 | 18M(512K x 36) |
封装/外壳 | 256-LBGA |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 90 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 1.42 V ~ 1.58 V,1.7 V ~ 1.9 V |
速度 | 200MHz |