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- 型号： CY7C2670KV18-550BZXI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C2670KV18-550BZXI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C2670KV18-550BZXI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C2670KV18-550BZXI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C2670KV18-550BZXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C2670KV18-550BZXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C2670KV18-550BZXI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌 Technologies）推出的高性能同步ZBT（Zero Bus Turnaround）SRAM，属于高速静态存储器类别。其典型应用场景聚焦于对低延迟、高带宽和确定性访问时序要求严苛的嵌入式与通信系统中。 主要应用包括： - 网络设备：用于路由器、交换机中的包缓冲、查找表（如TCAM辅助缓存）及流量管理模块，凭借550MHz工作频率（1.8ns周期）和ZBT架构实现无缝读写切换，提升吞吐效率； - 电信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中作为FPGA或DSP的高速本地缓存，支持实时信号处理与数据暂存； - 工业与军事航空电子：适用于高可靠性场景（该器件为工业级温度范围–40°C 至 +85°C，X代表扩展工业级），如雷达信号处理器、飞行控制计算机中的关键状态缓存； - 测试测量仪器：在高速逻辑分析仪、示波器中用作深度采集缓存，保障连续高速数据捕获能力。 该芯片采用18位数据总线、32Mbit容量（2M×18），支持QDR-II+兼容接口，具备可编程输出驱动强度、JTAG边界扫描支持，便于系统集成与调试。需注意其已进入产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估英飞凌推荐替代型号（如PSRAM或新型LPDDR方案），但存量设备仍广泛用于上述成熟平台。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 144MBIT 550MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49042 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C2670KV18-550BZXI |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量 | 144M（4M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 550MHz |
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