【未分类_CY7C199CN-12VXI】封装/厂家_CY7C199CN-12VXI中文资料_价格

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型号： CY7C199CN-12VXI
制造商： Cypress Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C199CN-12VXI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C199CN-12VXI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C199CN-12VXI封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CY7C199CN-12VXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C199CN-12VXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C199CN-12VXI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌）推出的一款高速异步静态RAM（SRAM），容量为32K × 8位（256Kb），访问时间12ns，采用CMOS工艺，工作电压5V，封装为44-pin PLCC，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），带“VXI”后缀表明其符合工业/扩展温度与可靠性要求。

典型应用场景包括：  
- 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制器、HMI人机界面等，需快速、可靠、非易失性缓存数据的场景；  
- 通信设备：早期基站、网络交换模块、协议转换器中用作帧缓冲、FIFO暂存或CPU本地高速缓存；  
- 嵌入式系统：在无片上大容量RAM的微控制器（如8051、Z80或早期ARM7系统）外围扩展数据存储，用于实时数据采集与处理；  
- 测试测量仪器：数字示波器、逻辑分析仪中作为采样数据的高速暂存单元；  
- 军事/航空电子（因工业级温宽与稳定性）：用于对读写时序敏感、不可容忍掉电丢失（配合后备电源）的关键缓存环节。

注：该器件为并行接口SRAM，不具掉电保持功能，需外加电池或超级电容实现非易失性。随着集成度提升，现已逐步被更小封装、更低功耗的新型SRAM或片上内存替代，但仍见于部分长期服役的工业及军工设备维护与替换场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC SRAM 256KBIT 12NS 28SOJ
产品分类	存储器
品牌	Cypress Semiconductor Corp
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CY7C199CN-12VXI
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	28-SOJ
包装	管件
存储器类型	SRAM - 异步
存储容量	256K （32K x 8）
封装/外壳	28-BSOJ
工作温度	-40°C ~ 85°C
接口	并联
标准包装	1,350
格式-存储器	RAM
电压-电源	4.5 V ~ 5.5 V
速度	12ns